Abstract

発光ダイオードチップを開示する。この発光ダイオードチップは、放射生成活性領域(13)を備えた半導体ボディ(1)と、活性領域との電気的接触を形成するための少なくとも2つのコンタクト領域(2a,2b)と、キャリア(3)と、キャリア(3)と半導体ボディ(1)との間に配置されている結合手段(4)と、を備えており、半導体ボディ(1)が、キャリア(3)の側の外面に粗面化部(15)を有し、半導体ボディ(1)が、結合手段(4)によってキャリア(3)に機械的に結合されており、結合手段(4)が、一部の領域において半導体ボディ(1)およびキャリア(3)に直接接触しており、少なくとも2つのコンタクト領域(2a,2b)が、キャリア(3)とは反対側の半導体ボディ(1)の上面に配置されている。 【選択図】図1A

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (5)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      JP-2004095941-AMarch 25, 2004Toyoda Gosei Co Ltd, 豊田合成株式会社発光装置
      JP-2006251212-ASeptember 21, 2006Toshiba Corp, 株式会社東芝Optical transmission line holding member, optical module and method for manufacturing optical module
      JP-2008205468-ASeptember 04, 2008Cree Inc, クリー, インコーポレイティッドGroup iii nitride diode on low refractive index carrier substrate
      JP-2010103149-AMay 06, 2010Showa Denko Kk, 昭和電工株式会社発光部材、発光装置、電子機器、機械装置、発光部材の製造方法、および発光装置の製造方法
      WO-2009039212-A1March 26, 2009Bridgelux, Inc., National Chung Hsing UniversityLight-emitting diode chip with high extraction and method for manufacturing the same

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (0)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle