Content addressable memory



PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a content addressable memory in which false retrieval can be suppressed.SOLUTION: A content addressable memory comprises R pieces of distance/time conversion circuits DTto DT. Each of the R pieces of distance/time conversion circuits DTto DTincludes a NAND circuit 40 and N-bit stages 41-4k. Each of the N-bit stages 41-4k oscillates an oscillation signal by delaying a signal from the NAND circuit 40 with a longer delay time as a distance between reference data and retrieval data increases, and oscillates the oscillation signal by delaying the signal from the NAND circuit 40 with a shorter delay time as the distance between the reference data and the retrieval data decreases. Among R pieces of oscillation signals outputted from the distance/time conversion circuits DTto DT, an oscillation signal which is changed on the earliest stage is detected as an oscillation signal of a Winner row.
【課題】誤検索を抑制可能な連想メモリを提供する。 【解決手段】連想メモリは、R個の距離/時間変換回路DT 1 〜DT R を備える。R個の距離/時間変換回路DT 1 〜DT R の各々は、NAND回路40と、Nビットステージ41〜4kとを含む。Nビットステージ41〜4kは、それぞれ、参照データと検索データとの間の距離が大きいほど、より長い遅延時間によってNAND回路40からの信号を遅延して発振信号を発振し、参照データと検索データとの間の距離が小さいほど、より短い遅延時間によってNAND回路40からの信号を遅延して発振信号を発振する。そして、距離/時間変換回路DT 1 〜DT R から出力されたR個の発振信号のうち、最も早く変化する発振信号がWinner行の発振信号として検出される。 【選択図】図2




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Patent Citations (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2014154196-AAugust 25, 2014Hiroshima Univ, 国立大学法人広島大学連想メモリ
    JP-H03248396-ANovember 06, 1991Matsushita Electric Ind Co LtdAssociative memory device
    WO-2011040335-A1April 07, 2011国立大学法人広島大学Associative memory
    WO-2014030383-A1February 27, 2014国立大学法人広島大学連想メモリ

NO-Patent Citations (1)

    JPN6010074065; H. J. Mattausch, et al.: '"Low-Power Word-Parallel Nearest-Hamming-Distance Search Circuit based on Frequency Mapping"' Proceedings of the 36th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC 2010) , 20100914, pp.538 - 541, IEEE

Cited By (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2015149113-AAugust 20, 2015国立大学法人広島大学, Hiroshima Univ連想メモリ
    JP-2015162257-ASeptember 07, 2015国立大学法人広島大学, Hiroshima UnivReconfigurable content addressable memory
    WO-2014030383-A1February 27, 2014国立大学法人広島大学連想メモリ